檢索結果：共5筆資料 檢索策略： "氮化鎵".ckeyword (精準) and year="102"
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本研究成功的以RF反應式濺鍍法來製備III族氮化物薄膜，如GaN與InGaN等薄膜，濺鍍所需要的靶材則是將不同比例的金屬In、Ga與GaN陶瓷粉末混合後熱壓而成的陶金靶，靶材中的Ga含量需小於GaN…
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本論文利用三族氮化物中，具有紫外光至藍光吸收波段之氮化鎵材料研製光偵測器，可應用為紫外光或藍光感測器，並以GaN/InGaN多重量子井主動層結構製作PIN(p-intrinsic-n-type)光偵…
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本論文研發氮化鎵表面結構化技術並嘗試應用於提升氮化鎵太 陽能電池光電流。本實驗所使用的商用氮化鎵晶圓原是為做LED元件 設計，主動層較薄。過薄的主動層將使得太陽能電池光吸收率不佳， 因此希望透過散射…
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由於氮化鎵藍紫光垂直共振腔面射型雷射之晶圓片製作不易，容易造成低增益及高損耗的現象，因此本實驗採用不同於常見的氧化物侷限結構，利用矽擴散反轉p-GaN為n-GaN製作出擴散型侷限結構，藉此定義出電流…
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本研究以圖案化氮化鎵為技術主題，針對美國、日本與歐洲專利權人進行專利家族申請歷程之個案分析，藉以歸納出構成專利家族的策略性地規劃，以替專利權人爭取在最短的時間內構築完整的專利家族保護網，並以較具效率…